DDR3布线的那些事儿(一) | 您所在的位置:网站首页 › ddr3 颗粒 › DDR3布线的那些事儿(一) |
转载于: http://mp.weixin.qq.com/s?src=3×tamp=1510989886&ver=1&signature=t3ZBSU8dkoN9RGP7PwnOD0Pcmyn9tyeiAi69TQ4w4bgxrUPB6oPUEVmr2fRJjCWT5FKRMW9nVxiLoVrDgaNFhJeBrsAvEU-GSG3D3NRKOsff8qB01JXYlQllxUvQF3P3pAHATKMIx-dDGtqMnjfqhoC982jVuOTnfI7TvnLgK-A=
对于DDR3的布线我们应该注意那些问题呢?下面我们以64位DDR3为例 :(注意:设计要求会因为芯片公司而有差异,具体以芯片手册要求的为准。)首先是数据线,数据线分组如下: GROUP0: DQ0-DQ7,DQM0,DQS0P/DQS0N;
GROUP1: DQ8-DQ15,DQM1,DQS1P/DQS1N;
GROUP2: DQ16-DQ23,DQM2,DQS2P/DQS2N;
GROUP3: DQ24-DQ31,DQM3,DQS3P/DQS3N;
GROUP4: DQ32-DQ39,DQM4,DQS4P/DQS4N;
GROUP5: DQ40-DQ47,DQM5,DQS5P/DQS5N;
GROUP6: DQ48-DQ55,DQM6,DQS6P/DQS6N;
GROUP7: DQ46-DQ63,DQM7,DQS7P/DQS7N; 数据线其拓扑是点对点的形式,拓扑如下所示: 图1:DQ拓扑 DQS拓扑如下:
数据线布线注意事项: 1.同组同层,如:GROUP1,同一组数据线要走在一起,并要走在相同层面; 所有的数据线优先考虑以GND平面为参考平面; 2.走线间距:组内按3H(说明:H指的是到主参考平面的高度,本文中所使用的间距为中心间距)原则;组间间距要5H以上;DQS和DQ的间距按5H设计; 3.DQS等长:对于DQS差分线的线间距要小于2倍的线宽(紧耦合设计);差分对内长度误差控制在5mil以内; 组内等长以DQS为基准,等长控制在20mil以内且尽可能的即时等长; 4.数据线在满足和时钟的时序关系外,还需注意最长的长度要求(例如Intel Romley要求不超过6500mil),具体的以芯片手册要求的为准; 而对于控制线、地址线、时钟线 分组如下: GROUP8:Address ADDR0-ADDR14 共15根地址线; GROUP9:Clock CLK、CLKN差分对; GROUP10:Control 包括WE、CAS、RAS、CS0、CS1、ODT0、ODT1、BA0、BA1、BA2等; 图3:时钟地址、控制线拓扑参考图 图4:地址、控制线对于拓扑结构一定要看芯片是否支持读写平衡(Read and Write Leveling)。如果不支持和DDR2一样按T拓扑处理。(保证CPU到DDR各支点等长,注意终端电阻要接到最大的T点上) 支持读写平衡情况下: 2-4片颗粒:走T点或是Fly-by都可以; 4片及以上颗粒:建议走Fly-by。下面是4颗粒DDR3按T和FLY-BY 拓扑结构的实例: 图5:4颗粒T型拓扑处理方式 图6:4颗粒FLY-BY拓扑处理方式 而对于FLY-BY的拓扑结构 ,要注意以下几点: 1. 间距 组内按3H(说明:H指的是到主参考平面的高度,中心间距3H,)原则;组间间距要5H以上;CLK和ADD/CMD等的间距按5H设计; 2.尽量同组同层完成走线且有完整参考平面(GND/power); 3.各个DDR颗粒间的走线,尽量用COPY,长度误差在20mil以内(推荐5mil);若因结构限制,最大不能超过100mil;4. 时钟线推荐带状线布线以(GND/POWER为参考平面); 时钟要紧耦合设计,对内等长控制在5MIL以内;源端和终端匹配的走线,长度不要太长(推荐300 mil以内)5.终端(上拉)电阻要放在最后一个DDR颗粒(末端),且走线长度小于500mil; 6.在有多个负载时,为了减少串扰和加大负载容性补偿,到第一个颗粒(主干道)的走线阻抗可以比到后面的走线阻抗偏小点,5-8欧姆左右。 7.Add/Com/Ctrl/Clk网络从控制器到第一个DDR颗粒的走线长度不要超过6000mil,到最后一个DDR颗粒不要超过12000mil。8.在多个考虑表底贴时分支的节点走线长度小于200mil且尽量等长. 图7:表底贴T型拓扑处理方式 本期对于DDR3的布线要求先说到这里,对于设计中还有那些重点需要关注和设计的我们将在下期继续讲解。 |
今日新闻 |
推荐新闻 |
专题文章 |
CopyRight 2018-2019 实验室设备网 版权所有 |